2020年,H1中國集成電路銷售額將同比增長16.1%,其中碳化硅應用最多
碳化硅(SiC)即使在高達1400°C的溫度下也可以保持其強度。這種材料的明顯特征是熱和電半導體具有極高的電導率。
碳化硅的化學和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性都很高。在陶瓷材料中,它是具有良好高溫強度的材料。
在所有非氧化物陶瓷中,抗氧化性也是最好的。它是一種極好的陶瓷材料。
碳化硅(SiC)的市場前景隨著信息技術的迅速發(fā)展,我國對半導體的需求正在增長。我國已成為世界上最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的40%以上。
以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子設備目前是電力電子領域中增長最快的電力半導體設備之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計,2019年中國半導體行業(yè)市場規(guī)模達到7562億元,同比增長15.77%。
2020年上半年,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額將達到3539億元,同比增長16.1%。碳化硅(SiC)的應用作為第三代半導體材料的典型代表,碳化硅(SiC)也是目前最成熟且使用最廣泛的寬間隙半導體材料之一。
碳化硅(SiC)陶瓷材料本身具有出色的半導體性能,在各種現(xiàn)代工業(yè)領域中發(fā)揮著重要的創(chuàng)新作用。它是在高溫,高頻,抗輻射和高功率應用下的理想半導體材料。
由于碳化硅功率器件可以顯著降低電子設備的能耗,因此碳化硅器件也被稱為“綠色能源器件”。推動了“新能源革命”。
在各種電機系統(tǒng)的高壓應用領域,采用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件具有明顯的功耗降低效果,極大地減少了設備的發(fā)熱,并減少了高達92%的開關損耗。以及設備的冷卻進一步簡化了機構,使設備小型化,并且大大減少了用于散熱的金屬材料的消耗。
半導體LED照明領域中的碳化硅(SiC)在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢。使用碳化硅(SiC)陶瓷基板的LED在這段時間內(nèi)具有更高的亮度,更低的能耗,更長的使用壽命以及更小的單位芯片面積。
。新能源汽車新能源汽車行業(yè)要求逆變器處理高強度電流,其可靠性遠遠超過普通工業(yè)逆變器。
它具有更好的散熱性,高效率,耐高溫性和高可靠性。硅(SiC)陶瓷基板完全滿足新能源汽車的要求。
碳化硅(SiC)陶瓷基板的小型化可以大大減少新能源汽車的功率損耗,因此它們?nèi)匀豢梢栽诟鞣N惡劣的環(huán)境下正常工作。碳化硅襯底不僅在新能源汽車的節(jié)能中起著重要作用,而且在高鐵,太陽能光伏,風能,電力傳輸,UPS不間斷電源和很快。
碳化硅的化學和物理穩(wěn)定性,碳化硅的硬度和耐腐蝕性都很高。在陶瓷材料中,它是具有良好高溫強度的材料。
在所有非氧化物陶瓷中,抗氧化性也是最好的。它是一種極好的陶瓷材料。
碳化硅(SiC)的市場前景隨著信息技術的迅速發(fā)展,我國對半導體的需求正在增長。我國已成為世界上最大的半導體消費國,半導體消費量占全球消費量的40%以上。
以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子設備目前是電力電子領域中增長最快的電力半導體設備之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計,2019年中國半導體行業(yè)市場規(guī)模達到7562億元,同比增長15.77%。
2020年上半年,中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額將達到3539億元,同比增長16.1%。碳化硅(SiC)的應用作為第三代半導體材料的典型代表,碳化硅(SiC)也是目前最成熟且使用最廣泛的寬間隙半導體材料之一。
碳化硅(SiC)陶瓷材料本身具有出色的半導體性能,在各種現(xiàn)代工業(yè)領域中發(fā)揮著重要的創(chuàng)新作用。它是在高溫,高頻,抗輻射和高功率應用下的理想半導體材料。
由于碳化硅功率器件可以顯著降低電子設備的能耗,因此碳化硅器件也被稱為“綠色能源器件”。推動了“新能源革命”。
在各種電機系統(tǒng)的高壓應用領域,采用碳化硅陶瓷基板的半導體碳化硅功率器件具有明顯的功耗降低效果,極大地減少了設備的發(fā)熱,并減少了高達92%的開關損耗。以及設備的冷卻進一步簡化了機構,使設備小型化,并且大大減少了用于散熱的金屬材料的消耗。
半導體LED照明領域中的碳化硅(SiC)在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢。使用碳化硅(SiC)陶瓷基板的LED在這段時間內(nèi)具有更高的亮度,更低的能耗,更長的使用壽命以及更小的單位芯片面積。
。新能源汽車新能源汽車行業(yè)要求逆變器處理高強度電流,其可靠性遠遠超過普通工業(yè)逆變器。
它具有更好的散熱性,高效率,耐高溫性和高可靠性。硅(SiC)陶瓷基板完全滿足新能源汽車的要求。
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